7月19日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子的HBM3E內(nèi)存終于成功通過NVIDIA的認(rèn)證測試，預(yù)計(jì)從下個(gè)季度開始向NVIDIA供貨。
此前，三星電子為了集中力量發(fā)展HBM技術(shù)，已對其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)線進(jìn)行了多次調(diào)整，包括成立專門的HBM小組和改組DS（設(shè)備解決方案）部門等，誓要拿下NVIDIA這個(gè)大客戶。
業(yè)界預(yù)期，三星電子將在7月31日的財(cái)務(wù)報(bào)告會議上宣布這一消息，三星電子的HBM3E內(nèi)存技術(shù)采用自家的4nm制程工藝制造邏輯芯片，目前該工藝的良品率已超過70%。
此外，三星電子的HBM3E內(nèi)存技術(shù)通過NVIDIA認(rèn)證，不僅有助于公司重新奪回HBM技術(shù)和市場份額，還可能對DRAM市場供應(yīng)產(chǎn)生影響。
據(jù)估計(jì)，三星電子可能會從其DRAM產(chǎn)能中調(diào)撥約30%專項(xiàng)生產(chǎn)HBM，這將削減約13%的全球DRAM供應(yīng)量，進(jìn)一步推高DRAM價(jià)格。
業(yè)界普遍認(rèn)為，隨著NVIDIA下一代Blackwell架構(gòu)的預(yù)期需求，HBM內(nèi)存的需求量將大幅增加，三星電子有望成為NVIDIA的重要供應(yīng)商。
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