9月12日消息，三星電子官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)第九代QLC V-NAND閃存，單顆容量1Tb(128GB)。
就在今年4月，三星開(kāi)始量產(chǎn)第九代TLC V-NAND閃存，二者只間隔4個(gè)月。
三星第九代QLC NAND閃存加入了多項(xiàng)創(chuàng)新：
一是通道孔蝕刻(Channel Hole Etching)。
基于雙堆棧架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了當(dāng)前業(yè)內(nèi)高的單元堆疊層數(shù)(具體未公開(kāi))。同時(shí)優(yōu)化存儲(chǔ)單元面積、外圍電路，位密度比上代提升約86％。
二是預(yù)設(shè)模具(Designed Mold)。
可以調(diào)整、控制存儲(chǔ)單元的字線(Word Line)間距，確保同一單元層內(nèi)、單元層之間的存儲(chǔ)單元的特性保持一致，達(dá)到佳效果，數(shù)據(jù)保持性能提升約20％，增強(qiáng)了可靠性。
三是預(yù)測(cè)程序(Predictive Program)。
能夠預(yù)測(cè)、控制存儲(chǔ)單元的狀態(tài)變化，盡可能減少不必要的操作，寫入性能翻倍，數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60％。
四是低功耗設(shè)計(jì)(Low-Power Design)。
降低了驅(qū)動(dòng)NAND存儲(chǔ)單元所需的電壓，只感測(cè)必要的位線(Bit Line)，數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約30％、50％。
三星第九代QLC V-NAND閃存將首先用于消費(fèi)電子產(chǎn)品，然后逐步在UFS、PC、服務(wù)器領(lǐng)域鋪開(kāi)。
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