7月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱(chēng)，蘋(píng)果可能會(huì)在2026年的iPhone上啟用更大存儲(chǔ)，預(yù)計(jì)是2TB。
產(chǎn)業(yè)鏈新透露的情況是，蘋(píng)果正在加速推進(jìn)QLC NAND換代，從而將內(nèi)置存儲(chǔ)上限提高到2TB。
至于為何使用QLC，可能還是跟蘋(píng)果控制成本有關(guān)。
其實(shí)在這之前就有消息稱(chēng)，蘋(píng)果可能會(huì)改變存儲(chǔ)容量（iPhone 16上啟用），不再使用三層單元（TLC）NAND 閃存，而是在存儲(chǔ)容量達(dá)到或超過(guò)1TB的機(jī)型上使用四層單元（QLC）NAND閃存。
與TLC相比，QLC的優(yōu)勢(shì)在于每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)四位數(shù)據(jù)，在使用相同數(shù)量的單元時(shí)比TLC儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù)，或者使用更少的單元儲(chǔ)存更多的數(shù)據(jù)，而這可以降低生產(chǎn)成本。
此外，QLC閃存被認(rèn)為不如TLC閃存可靠，寫(xiě)入數(shù)據(jù)的耐久性會(huì)降低，因?yàn)槊總€(gè)單元寫(xiě)入的次數(shù)更多，因?yàn)槊總€(gè)單元多包含一個(gè)位。
QLC NAND閃存可以存儲(chǔ)16種不同的電荷電平，而TLC僅能存儲(chǔ)8種電荷電平。讀取數(shù)據(jù)時(shí)，由于電荷量增加，裕量減少，這就有可能因噪聲增加而導(dǎo)致位錯(cuò)誤增加。
如果蘋(píng)果繼續(xù)執(zhí)行這一計(jì)劃，一些版本的iPhone 16 用戶(hù)可能會(huì)遇到數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度低于低容量用戶(hù)的情況。
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