IT之家今日（4月23日）消息，美國芯片制造商英特爾與美國國防部進一步加深合作，共同研發全球最先進的芯片制造工藝，這項合作是雙方在兩年半前簽署的“快速可靠微電子原型”（RAMP-C）項目的第一階段基礎上拓展而來的。
此次合作將使美國政府首次能夠獲得用于制造尖端芯片的領先技術。雙方將合作生產采用英特爾未來 18A 制造工藝的芯片樣品，18A 制造工藝通常用于高性能計算和圖形處理領域，需要芯片具有強大的運算能力。
制造用于美國國家安全應用的 18A 芯片是英特爾與其 DIB（即國防工業基地）客戶合作的一部分，其中包括像諾格公司和波音這樣的國防承包商，以及微軟、英偉達和 IBM 等商用領域巨頭。
18A是英特爾下一代制程工藝，根據該公司此前公布的信息，其前一代20A制程預計將在2024年投入生產。英特爾去年年底公布了18A制程的關鍵細節，公司CEO帕特?基辛格 (Patrick Gelsinger) 表示18A制程的研發進度領先于預期。
英特爾在聲明中表示，RAMP-C項目的第三階段突顯了其18A制程技術、知識產權和生態系統解決方案已經為量產做好了準備。基辛格還特別強調了英特爾18A芯片的優異功耗管理能力，認為其優于臺積電的2納米制程工藝。
從命名上看，英特爾18A制程相當于1.8納米制程。在芯片制造領域，制程越小越好，因為更小的電路可以改善電導率和性能?，F代芯片可以在極小的空間內塞下數十億個晶體管，從而處理更多的數據。
美國國防部微電子工程負責人謝諾伊博士 (Dr. Dev Shenoy) 表示，五角大樓預計將在2025年完成使用英特爾18A制程芯片的原型生產。RAMP-C項目的第三階段將專注于芯片設計的定型，這是設計流程的最后階段，工程師將把設計概念轉化為指導芯片制造機器的掩模版。
值得一提的是，英特爾本月初剛剛啟動了世界上第一臺最先進的芯片制造設備，名為高數值孔徑極紫外 (high NA EUV) 光刻機。英特爾表示，這種設備可以簡化設計流程，從而縮短芯片的制造時間。
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