任天堂 Switch 2 可能會使用三星第五代 V-NAND，從最近的一些研究結(jié)果來看，這將是相比其前代產(chǎn)品的一大進(jìn)步。據(jù)Doctre81在 YouTube 上分享的一段新視頻中報道，一位在該公司任職至 2019 年的前三星電子設(shè)備解決方案部門高級總監(jiān)的 LinkedIn 頁面上列出了他的主要資歷和職責(zé)，其中包括領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)了一款用于未指定任天堂游戲卡帶的 NAND 閃存控制器設(shè)備。
在主要成就中，這位前三星員工還列出了由三星存儲器第五代 V-NAND 閃存驅(qū)動的安全增強型 eMMC 卡的開發(fā)，這似乎不僅與用于未指定任天堂游戲卡帶的 NAND 閃存控制器設(shè)備相吻合，而且還與其他一些信息相符，如創(chuàng)新未指定專有硬件的安全性和設(shè)計新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。
任天堂 Switch 2 需要比上一代產(chǎn)品更快的讀取速度并不完全令人驚訝，但使用三星第 5 代 V-NAND 仍然是個好消息，盡管以今天的標(biāo)準(zhǔn)來看，這已經(jīng)是有些過時的技術(shù)了，因為三星正在開發(fā)第 9 代和第 10 代 V-NAND，后者計劃于 2025 年發(fā)布。不過，第 5 代產(chǎn)品高達(dá) 1.4 GB/s 的速度對于任天堂的游戲來說應(yīng)該綽綽有余，至少比前一代產(chǎn)品有了很大的提升。
關(guān)于 Nintendo Switch 2的細(xì)節(jié)人們所知甚少，只知道它將再次采用NVIDIA硬件。據(jù)說，T239 芯片將支持英偉達(dá) DLSS 和光線重構(gòu)等功能。
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